IniciGrupsConversesMésTendències
Has donat un cop d'ull al SantaThing, la tradició de fer-se regals de LibraryThing?
ignora
Aquest lloc utilitza galetes per a oferir els nostres serveis, millorar el desenvolupament, per a anàlisis i (si no has iniciat la sessió) per a publicitat. Utilitzant LibraryThing acceptes que has llegit i entès els nostres Termes de servei i política de privacitat. L'ús que facis del lloc i dels seus serveis està subjecte a aquestes polítiques i termes.
Hide this

Resultats de Google Books

Clica una miniatura per anar a Google Books.

S'està carregant…

New prospects of integrating low substrate temperatures with…

de Nabil Shovon Ashraf

MembresRessenyesPopularitatValoració mitjanaConverses
2No n'hi ha cap4,168,133No n'hi ha capNo n'hi ha cap
In order to sustain Moore's Law-based device scaling, principal attention has focused on toward device architectural innovations for improved device performance as per ITRS projections for technology nodes up to 10 nm. Efficient integration of lower substrate temperatures (<300K) to these innovatively configured device structures can enable the industry professionals to keep up with Moore's Law-based scaling curve conforming with ITRS projection of device performance outcome values. In this prospective review E-book, the authors have systematically reviewed the research results based on scaled device architectures, identified key bottlenecks to sustained scaling-based performance, and through original device simulation outcomes of conventional long channel MOSFET extracted the variation profile of threshold voltage as a function of substrate temperature which will be instrumental in reducing subthreshold leakage current in the temperature range 100K-300K. An exploitation methodology to regulate the die temperature to enable the efficient performance of a high-density VLSI circuit is also documented in order to make the lower substrate temperature operation of VLSI circuits and systems on chip process compatible.… (més)

Sense etiquetes

No n'hi ha cap.

No n'hi ha cap
S'està carregant…

Apunta't a LibraryThing per saber si aquest llibre et pot agradar.

No hi ha cap discussió a Converses sobre aquesta obra.

Sense ressenyes
Sense ressenyes | afegeix-hi una ressenya
Has d'iniciar sessió per poder modificar les dades del coneixement compartit.
Si et cal més ajuda, mira la pàgina d'ajuda del coneixement compartit.
Títol normalitzat
Títol original
Títols alternatius
Data original de publicació
Gent/Personatges
Llocs importants
Esdeveniments importants
Pel·lícules relacionades
Premis i honors
Epígraf
Dedicatòria
Primeres paraules
Citacions
Darreres paraules
Nota de desambiguació
Editor de l'editorial
Creadors de notes promocionals a la coberta
Llengua original
CDD/SMD canònics

Referències a aquesta obra en fonts externes.

Wikipedia en anglès

No n'hi ha cap

In order to sustain Moore's Law-based device scaling, principal attention has focused on toward device architectural innovations for improved device performance as per ITRS projections for technology nodes up to 10 nm. Efficient integration of lower substrate temperatures (

No s'han trobat descripcions de biblioteca.

Descripció del llibre
Sumari haiku

Dreceres

Cobertes populars

No n'hi ha cap

Valoració

Mitjana: Sense puntuar.

Ets tu?

Fes-te Autor del LibraryThing.

 

Quant a | Contacte | LibraryThing.com | Privadesa/Condicions | Ajuda/PMF | Blog | Botiga | APIs | TinyCat | Biblioteques llegades | Crítics Matiners | Coneixement comú | 152,713,395 llibres! | Barra superior: Sempre visible